Fabricante: Fairchild Semiconductor
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Obsolete
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 250mA (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4.5V @ 50µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 4.9 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 92 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: SOT-223 (TO-261)
Paquete/Caja: TO-261-4, TO-261AA
