PH6530AL115 NXP USA Inc. Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: NXP USA Inc.
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: -
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: -
Vgs(th) (Máx.) @ Id: -
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): -
Temperatura de funcionamiento: -
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: LFPAK56, Power-SO8
Paquete/Caja: SC-100, SOT-669