RM1A4N150S6 Rectron USA Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Rectron USA
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 150 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 1.4A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 6V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 250µA
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 700 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 1.56W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -50°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: SOT-23-6
Paquete/Caja: SOT-23-6