RM48N100D3 Rectron USA Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Rectron USA
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 48A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.5V @ 250µA
Vgs (máx.): +20V, -12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 3280 pF @ 50 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 61W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -50°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-DFN-EP (3x3)
Paquete/Caja: 8-PowerVDFN