RFP4N06 Harris Corporation Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Harris Corporation
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 4A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 250µA
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 200 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-220
Paquete/Caja: TO-220-3