BSP321PL6327 Infineon Technologies Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: SIPMOS®
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 980mA (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 980mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 380µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 12 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 319 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 1.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: PG-SOT223-4-21
Paquete/Caja: TO-261-4, TO-261AA