Fabricante: International Rectifier
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 4.1A (Ta), 14.4A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 5V @ 25µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 13 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 515 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 2.4W (Ta), 30W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~175°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: DirectFET??Isometric SB
Paquete/Caja: DirectFET??Isometric SB
