IRF6892STRPBF International Rectifier Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: International Rectifier
Serie: HEXFET®
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 28A (Ta), 125A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.1V @ 50µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.): ±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 2510 pF @ 13 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -40°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: DIRECTFET??S3C
Paquete/Caja: DirectFET??Isometric S3C