IRF3709ZPBF International Rectifier Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: International Rectifier
Serie: HEXFET®
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 87A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.25V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 2130 pF @ 15 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 79W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~175°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-220AB
Paquete/Caja: TO-220-3