RM4N650LD Rectron USA Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Rectron USA
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 650 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 4A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3.5V @ 250µA
Vgs (máx.): ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 280 pF @ 50 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 46W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-252-2
Paquete/Caja: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63