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IRFR121 Harris Corporation Transistores - FET MOSFET - Sencillos

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Descripción de sus requisitos

Fabricante: Harris Corporation
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 80 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 8.4A
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): -
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: -
Vgs(th) (Máx.) @ Id: -
Vgs (máx.): -
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): -
Temperatura de funcionamiento: -
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-252-3 (DPAK)
Paquete/Caja: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Datasheet

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