RF1S45N02L Harris Corporation Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Harris Corporation
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 45A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 45A, 5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 60 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1300 pF @ 15 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 90W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~175°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: I2PAK (TO-262)
Paquete/Caja: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA