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RJK0854DPB-00#J5 Renesas Electronics America Inc Transistores - FET MOSFET - Sencillos

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Descripción de sus requisitos

Fabricante: Renesas Electronics America Inc
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 80 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 25A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: -
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 27 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 2000 pF @ 10 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 55W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: 150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: LFPAK
Paquete/Caja: SC-100, SOT-669

Datasheet

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