SI8410DB-T2-E1 Vishay Siliconix Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 3.8A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 1.5V, 4.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 850mV @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 16 nC @ 8 V
Vgs (máx.): ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 620 pF @ 10 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: 4-Micro Foot (1x1)
Paquete/Caja: 4-UFBGA
Número de producto base: SI8410