FS30AS-2-T13#B00 Renesas Electronics America Inc Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Renesas Electronics America Inc
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 30A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 1mA
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1250 pF @ 10 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 35W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: MP-3A
Paquete/Caja: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63