BS170 NTE Electronics, Inc Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paquete: Bag
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 300mA (Ta)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3V @ 1mA
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 60 pF @ 10 V
Característica FET: -
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-92
Paquete/Caja: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads