PMN40UPEA115 NXP USA Inc. Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: NXP USA Inc.
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 4.7A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 1.8V, 4.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 950mV @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.): ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1820 pF @ 10 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 500mW (Ta), 8.33W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: 6-TSOP
Paquete/Caja: SC-74, SOT-457