RM45P20D3 Rectron USA Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Rectron USA
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 19 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 45A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 1.8V, 4.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1V @ 250µA
Vgs (máx.): ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 3500 pF @ 10 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 80W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-DFN-EP (3.3x3.3)
Paquete/Caja: 8-PowerVDFN