IPD130N10NF2SATMA1 Infineon Technologies Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: StrongIRFET??2
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 11A (Ta), 52A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 6V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3.8V @ 30µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 28 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1300 pF @ 50 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 3W (Ta), 71W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~175°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: PG-TO252-3
Paquete/Caja: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63