NTMFS0D8N02P1ET1G onsemi Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: onsemi
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 55A (Ta), 365A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 0.68mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2V @ 2mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 52 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.): +16V, -12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 8600 pF @ 13 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 3.2W (Ta), 139W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete/Caja: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Número de producto base: NTMFS0