FCB125N65S3 onsemi Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: onsemi
Serie: SuperFET® III
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 650 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 24A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4.5V @ 590µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 46 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1940 pF @ 400 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 181W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: D²PAK-3 (TO-263-3)
Paquete/Caja: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base: FCB125