SQJQ184E-T1_GE3 Vishay Siliconix Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Vishay Siliconix
Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 80 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 430A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3.5V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 272 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 16010 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 600W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~175°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: PowerPAK® 8 x 8
Paquete/Caja: PowerPAK® 8 x 8