IPP80P03P4L04AKSA2 Infineon Technologies Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS®-P2
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 80A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2V @ 253µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 160 nC @ 10 V
Vgs (máx.): +5V, -16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 11300 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 137W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~175°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: PG-TO220-3-1
Paquete/Caja: TO-220-3
Número de producto base: IPP80P03