RM45N600T7 Rectron USA Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Rectron USA
Serie: -
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 44.5A (Tj)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15.6A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 250µA
Vgs (máx.): ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 2808 pF @ 100 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 431W
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-247
Paquete/Caja: TO-247-3