NTE455 NTE Electronics, Inc Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paquete: Bag
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 25mA
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): -
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: -
Vgs(th) (Máx.) @ Id: -
Vgs (máx.): ±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 3500 pF @ 10 V
Característica FET: Standard
Disipación de potencia (máx.): 200mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~125°C
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: -
Paquete/Caja: SOT-103