2SJ542-E Renesas Electronics America Inc Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Renesas Electronics America Inc
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 18A (Ta)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2V @ 1mA
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1300 pF @ 10 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: 150°C
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-220AB
Paquete/Caja: TO-220-3