SCTWA90N65G2V-4 STMicroelectronics Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: STMicroelectronics
Serie: -
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 650 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 119A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 50A, 18V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 5V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 157 nC @ 18 V
Vgs (máx.): +22V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 3380 pF @ 400 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 565W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~200°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: HiP247??Long Leads
Paquete/Caja: TO-247-3
Número de producto base: SCTWA90