IXTH1N250 IXYS Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: IXYS
Serie: -
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 2500 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 1.5A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 750mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 41 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1660 pF @ 25 V
Característica FET: -
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-247AD
Paquete/Caja: TO-247-3
Número de producto base: IXTH1