Fabricante: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paquete: Bag
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 60mA
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: -
Vgs(th) (Máx.) @ Id: -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 3300 pF @ 15 V
Característica FET: Standard
Disipación de potencia (máx.): 1.2W
Temperatura de funcionamiento: -65°C~175°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-72
Paquete/Caja: TO-72-3
