NTE464 NTE Electronics, Inc Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paquete: Bag
Estado del producto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 10A
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 600Ohm @ 0A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 5V @ 10A
Vgs (máx.): ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 5000 pF @ 10 V
Característica FET: Standard
Disipación de potencia (máx.): 800mW (Tc)
Temperatura de funcionamiento: 175°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-72
Paquete/Caja: TO-72-3