SQA470EJ-T1_GE3 Vishay Siliconix Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Vishay Siliconix
Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 2.25A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 2.5V, 4.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1.1V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.): ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 440 pF @ 20 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 13.6W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~175°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: PowerPAK® SC-70-6 Single
Paquete/Caja: PowerPAK® SC-70-6
Número de producto base: SQA470