RW1C015UNT2R Rohm Semiconductor Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Rohm Semiconductor
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Last Time Buy
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 1.5A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 1.5V, 4.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 1.8 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.): ±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 110 pF @ 10 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 400mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: 150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: 6-WEMT
Paquete/Caja: 6-SMD, Flat Leads
Número de producto base: RW1C015