SISA16DN-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 16A (Ta)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.3V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 47 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 2060 pF @ 15 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): -
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: PowerPAK® 1212-8
Paquete/Caja: PowerPAK® 1212-8
Número de producto base: SISA16