IPTG210N25NM3FDATMA1 Infineon Technologies Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: OptiMOS??3
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 250 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 7.7A (Ta), 77A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 69A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 267µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 81 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 7000 pF @ 125 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~175°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: PG-HSOG-8-1
Paquete/Caja: 8-PowerSMD, Gull Wing
Número de producto base: IPTG210N