NTE2378 NTE Electronics, Inc Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paquete: Bag
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 900 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 5A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3V @ 1mA
Vgs (máx.): ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 700 pF @ 20 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 120W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: 150°C
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-3P
Paquete/Caja: TO-3P-3, SC-65-3