NTE2389 NTE Electronics, Inc Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paquete: Bag
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 35A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 1mA
Vgs (máx.): 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 2000 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 125W (Ta)
Temperatura de funcionamiento: 175°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-220
Paquete/Caja: TO-220-3