DMN2250UFB-7B Diodes Incorporated Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Diodes Incorporated
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 1.35A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 1.8V, 4.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 3.1 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 94 pF @ 16 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: X1-DFN1006-3
Paquete/Caja: 3-UFDFN
Número de producto base: DMN2250