IRLM120ATF onsemi Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: onsemi
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Not For New Designs
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 2.3A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.15A, 5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 15 nC @ 5 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 440 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 2.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: SOT-223-4
Paquete/Caja: TO-261-4, TO-261AA
Número de producto base: IRLM120