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NVMFS5H610NLWFT1G onsemi Transistores - FET MOSFET - Sencillos

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Descripción de sus requisitos

Fabricante: onsemi
Serie: Automotive, AEC-Q101
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 13A (Ta), 48A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2V @ 40µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 880 pF @ 30 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 3.6W (Tc), 52W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~175°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete/Caja: 8-PowerTDFN, 5 Leads

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