IRF6811STRPBF International Rectifier Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: International Rectifier
Serie: DirectFET®
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 19A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.1V @ 35µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.): ±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1590 pF @ 13 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 2.1W (Ta), 32W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -40°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: DirectFET??Isometric SQ
Paquete/Caja: DirectFET??Isometric SQ