LND150N3-G-P013 Microchip Technology Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Microchip Technology
Serie: -
Paquete: Tape & Box (TB)
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 30mA (Tj)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 0V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: -
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 10 pF @ 25 V
Característica FET: Depletion Mode
Disipación de potencia (máx.): 740mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-92-3
Paquete/Caja: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Número de producto base: LND150