1HN04CH-TL-W onsemi Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: onsemi
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Obsolete
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 270mA (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 140mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.6V @ 100µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 15 pF @ 20 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): -
Temperatura de funcionamiento: 150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: 3-CPH
Paquete/Caja: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base: 1HN04