IPS80R2K4P7AKMA1 Infineon Technologies Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: CoolMOS??P7
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 800 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 2.5A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3.5V @ 40µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 150 pF @ 500 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 22W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: PG-TO251-3
Paquete/Caja: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base: IPS80R2