TPH1110ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: U-MOSVIII-H
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 7.2A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 200µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 7 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 600 pF @ 100 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: 150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-SOP Advance (5x5)
Paquete/Caja: 8-PowerVDFN
Número de producto base: TPH1110