TK35S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: U-MOSIV
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 35A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 6V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 28 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1370 pF @ 10 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 58W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: 175°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: DPAK+
Paquete/Caja: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base: TK35S04