IRFB4410ZGPBF Infineon Technologies Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Paquete: Tube
Estado del producto: Last Time Buy
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 97A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 150µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 120 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 4820 pF @ 50 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 230W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~175°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-220AB
Paquete/Caja: TO-220-3
Número de producto base: IRFB4410