2SK3479-Z-E1-AZ Renesas Electronics America Inc Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Renesas Electronics America Inc
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Last Time Buy
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 83A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: -
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 210 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 11000 pF @ 10 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 1.5W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: 150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-263, TO-220SMD
Paquete/Caja: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB