2SK3700(F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 900 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 5A (Ta)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 28 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1150 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: 150°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-3P(N)
Paquete/Caja: TO-3P-3, SC-65-3
Número de producto base: 2SK3700