AUIRF1010ZSTRL Infineon Technologies Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Not For New Designs
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 55 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 75A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 95 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 2840 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 140W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~175°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: PG-TO263-3
Paquete/Caja: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB