Fabricante: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie: -
Paquete: Tube
Estado del producto: Not For New Designs
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 19A (Ta), 92A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 6V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3.2V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 210 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 11800 pF @ 30 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 1.9W (Ta), 46.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~175°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-220F
Paquete/Caja: TO-220-3 Full Pack
Número de producto base: AOTF260
